Memoria RAM Kingston ValueRAM 4GB/ DDR4/ 2666MHz/ 1.2V/ CL19/ DIMM
General
capacidad 4 gb
tipo de actualización genérica
anchura 133 mm
altura 31.3 mm
peso 9 g
memoria
tipo dram
tecnología ddr4 sdram
factor de forma dimm de 288 espigas
altura del módulo (pulgadas) 1.23
velocidad 2666 mhz (pc4 - 21300)
tiempos de latencia cl19 (19 - 19 - 19)
comprobación integridad datos no ecc
características fila única -on - die terminatión (odt) -seríal presence
detect (spd) -dieciséis bancos -actualización automática de baja potencia
(lpasr) -sin búfer
configuración de módulos 512 x 64
organización de los chips 512 x 16
tensión 1.2 v
blindaje de conector oro
diverso
cumplimiento de normas rohs -libre de halógenos
General
capacidad 4 gb
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anchura 133 mm
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peso 9 g
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velocidad 2666 mhz (pc4 - 21300)
tiempos de latencia cl19 (19 - 19 - 19)
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detect (spd) -dieciséis bancos -actualización automática de baja potencia
(lpasr) -sin búfer
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organización de los chips 512 x 16
tensión 1.2 v
blindaje de conector oro
diverso
cumplimiento de normas rohs -libre de halógenos
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
Memoria interna: 4 GB
Tipo de memoria interna: DDR4
Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz
Componente para: PC/servidor
Forma de factor de memoria: 288pin DIMM
Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 2 + 1 x 4
Latencia CAS: 19
Voltaje de memoria: 1.2 V
ECC: No
Placa de plomo: Oro
Configuración de módulos: 512M x 64
Tiempo de ciclo de fila: 45,75 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila: 350 ns
Tiempo activo en fila: 32 ns
Programador de potencia de voltaje (VPP): 1,2 V
Memoria sin buffer: Si
Clasificación de memoria: 1
Libre de halógenos: Si
Estándar JEDEC: Si
Acorde RoHS: Si
Sistema operativo Windows soportado: Si
Sistema operativo MAC soportado: Si
Sistema operativo Linux soportado: Si
Intervalo de temperatura operativa: 0 85 °,C
Intervalo de temperatura de almacenaje: 55 100 °,C
Ancho: 133,3 mm
Altura: 31,2 mm
,
Memoria interna: 4 GB
Tipo de memoria interna: DDR4
Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz
Componente para: PC/servidor
Forma de factor de memoria: 288pin DIMM
Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 2 + 1 x 4
Latencia CAS: 19
Voltaje de memoria: 1.2 V
ECC: No
Placa de plomo: Oro
Configuración de módulos: 512M x 64
Tiempo de ciclo de fila: 45,75 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila: 350 ns
Tiempo activo en fila: 32 ns
Programador de potencia de voltaje (VPP): 1,2 V
Memoria sin buffer: Si
Clasificación de memoria: 1
Libre de halógenos: Si
Estándar JEDEC: Si
Acorde RoHS: Si
Sistema operativo Windows soportado: Si
Sistema operativo MAC soportado: Si
Sistema operativo Linux soportado: Si
Intervalo de temperatura operativa: 0 85 °,C
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